[发明专利]氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体有效
| 申请号： | 201610972014.9 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106477538B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 雷超;魏飞;张晨曦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李进;王素丽 |
| 地址： | 10000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化硅纳米线的制备方法，本发明方法中，以价低易得的硅粉为原料，无需使用催化剂，在将硅粉造粒后进行氮化反应制备氮化硅颗粒，然后通过研磨破碎、洗涤和沉降分离、干燥等简单操作，可同时得到高纯度的氮化硅纳米线以及氮化硅粉体产品，是一种简单、经济且适于工业化大批量制备氮化硅纳米线的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 纳米 制备 方法 硅粉体 微米 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅纳米线制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)将粘合剂溶解后得到粘性溶液；然后，将硅粉加入粘性溶液中，并搅拌混合，得到浆料；然后，将浆料喷雾并得到粒径分布为50～300μm的多孔球形造粒硅粉；(2)将造粒硅粉放置于惰性气氛炉中，并向炉中通入氮氢混合气体，然后逐步升温至1200～1400℃后，再保温反应3～10h，然后冷却至室温，即得到氮化硅块体；(3)将氮化硅块体破碎并研磨，并与洗涤剂混合搅拌后过滤，然后分别收集滤液和滤渣；将滤渣干燥，即得氮化硅粉体；将滤液离心分离，并将所得沉淀物干燥，即得氮化硅纳米线。
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