[发明专利]垂直型环绕式栅极晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201610971700.4 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107026087A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋青宏;王立廷;蔡腾群;陈世强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种垂直型环绕式栅极晶体管的制造方法包括形成从衬底向上延伸的纳米线，其中纳米线包括底部半导体区域、位于底部半导体区域上方的中间半导体区域以及位于中间半导体区域上方的顶部半导体区域。形成围绕纳米线并于纳米线上方延伸的介电层。并通过注入工艺，在介电层内部形成化学机械研磨停止层。形成化学机械研磨停止层后，平坦化介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 环绕 栅极 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型环绕式栅极晶体管的制造方法，其特征在于，包括：形成从衬底向上延伸的纳米线，其中纳米线包括底部半导体区域、位于底部半导体区域上方的中间半导体区域以及位于中间半导体区域上方的顶部半导体区域；形成围绕纳米线并于纳米线上方延伸的介电层；通过注入工艺，在介电层内部形成化学机械研磨停止层；以及形成化学机械研磨停止层后，平坦化介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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