[发明专利]一种短波红外窄带滤光片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种短波红外窄带滤光片，其特征在于，包括：基板和形成在基板两侧表面上的正面膜系和反面膜系，正面膜系为：A/(HL)⁴L(HL)⁸L(HL)⁸L(HL)⁴1.64H0.64L/S，反面膜系为：A/(0.5HL0.5H)¹¹α(0.5HL0.5H)¹²β(0.5LH0.5L)⁷γ(0.5LH0.5L)¹⁰ω(0.5LH0.5L)¹⁰/S；膜系中的符号含义：A为空气，S为H‑K9L玻璃基底，H为高折射率材料五氧化二钛，L为低折射率材料二氧化硅，α、β、γ和ω分别表示各膜系中心波长与中心波长的倍数。本发明滤光片具有中心波长为1240nm的红外窄带滤光片透过光谱，透射带的上升和下降沿陡度小于0.5％，通带平均透过率达80％，截止带平均透过率小于0.5％，可起到限制光谱范围，抑制背景干扰，提高目标分辨率。

主权项

1.一种短波红外窄带滤光片的制备方法，所述短波红外窄带滤光片包括：基板(2)和形成在基板(2)两侧表面上的正面膜系和反面膜系，正面膜系为：A/(HL)4L(HL)8L(HL)8L(HL)41.64H0.64L/S，反面膜系为：A/(0.5HL0.5H)11α(0.5HL0.5H)12β(0.5LH0.5L)7γ(0.5LH0.5L)10ω(0.5LH0.5L)10/S；膜系中的符号含义：A为空气，S为基板(2),基板(2)选用H‑K9L玻璃基底，H为高折射率材料二氧化钛，L为低折射率材料二氧化硅，α、β、γ和ω分别表示各膜层所对应的光学厚度系数，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1：真空室清洁；S2：镀膜前基板清洗；S3：真空室准备在真空室电子枪坩埚内预置镀膜材料；S4：膜层镀制打开离子源，用离子束清洗基板，离子源采用氩气作为工作气体，利用离子束辅助的电子束蒸镀方法进行膜层沉积；所述步骤S4中，膜层镀制中，在沉积氧化物薄膜时，还需充入氧气作为反应气体；二氧化钛膜沉积时，离子源氩气气体流量18±2sccm，氧气气体流量25±3sccm，离子源束压180V～250V，离子源束流80V～120V，控制沉积速率0.2‑0.5nm/s；二氧化硅膜沉积时，离子源氩气气体流量18±2sccm，氧气气体流量12±2sccm，离子源束压180V～220V，离子源束流80V～110V，沉积速率0.5‑1nm/s。