[发明专利]用于射频应用的结构体和制造该结构体的方法有效
| 申请号： | 201610969638.5 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106548928B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 比什-因·阮;克里斯托夫·马勒维尔;S·古克特普利;A·M·米司奇欧涅;A·杜瓦雷特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司;百富勤半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;龚泽亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于射频应用的结构体(100)，包括：单晶衬底(1)，直接位于所述单晶衬底(1)上的多晶硅层(2)，在所述多晶硅层(2)上的有源层(3)，其旨在容纳射频部件，所述结构体的特征在于，从所述多晶硅层(2)与所述单晶层的界面(I)延伸的所述多晶硅层(2)的至少第一部分(2a)包含浓度为2％～20％的位于所述多晶硅的晶界处的碳和/或氮原子。本发明还涉及一种制造该结构体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 应用 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于射频应用的结构体(100)，其包括：单晶衬底(1)，直接位于所述单晶衬底(1)上的多晶硅层(2)，在所述多晶硅层(2)上的有源层(3)，其旨在容纳射频部件，所述结构体的特征在于，从所述多晶硅层(2)与所述单晶衬底(1)的界面(I)延伸的所述多晶硅层(2)的至少第一部分(2a)包含浓度为2％～20％的位于所述多晶硅的晶界处的碳和/或氮原子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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