[发明专利]一种掩埋结构激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610969583.8 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106785910A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李密锋;汤宝;罗飚 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/227 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种掩埋结构激光器及其制造方法。其中，激光器包括衬底、台面结构、掩埋结构和电极接触层，台面结构位于衬底上；掩埋结构由至少一层第一材料层和至少一层第二材料层构成，第二材料层覆盖于第一材料层上，并且第二材料层上对应台面结构的台顶区域设置有凹槽结构；电极接触层位于第二材料层上。本发明实施例克服了现有技术中存在的掩膜层与高电阻层(即掩埋材料)接触区域会过度生长，形成尖锐边角造成漏电流，会对器件在较小的电压下击穿的问题，提高了激光器工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩埋 结构 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种掩埋结构激光器，其特征在于，包括衬底、台面结构、掩埋结构和电极接触层，具体的：所述台面结构位于所述衬底上；所述掩埋结构由至少一层第一材料层和至少一层第二材料层构成，其中，第一材料层生长于所述衬底上，并且覆盖所述台面结构；第二材料层覆盖于所述第一材料层上，并且第二材料层上对应所述台面结构的台顶区域设置有凹槽结构，所述凹槽结构使得电极接触层与覆盖于所述台面上的第一材料层相接触；所述电极接触层位于所述第二材料层上。
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