[发明专利]一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了属于微电子技术领域的一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器为三明治结构，由三层薄膜构成，包括底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti₃C₂ene薄膜，所述阻变功能层为氧化物材料。本发明还公开了抗电磁干扰的阻变存储器的制备方法。本发明选择导电、高效屏蔽电磁、廉价易得的Ti₃C₂ene薄膜作为电极材料，制备的阻变存储器具有轻量化、高强度、工艺简单多个优点，满足对于便携式、可穿戴电子器件的需求。

主权项

1.一种抗电磁干扰阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基底材料上转移Ti₃C₂ene薄膜材料；(2)使用磁控溅射技术在Ti₃C₂ene薄膜材料上生长阻变功能层材料；(3)转移Ti₃C₂ene薄膜材料到阻变功能层材料上；(4)在顶层Ti₃C₂ene薄膜材料上悬涂光刻胶，使用光学曝光获得顶电极图形，使用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀得到顶电极，形成抗电磁干扰的阻变存储器件单元；所述抗电磁干扰阻变存储器为三明治结构，由三层薄膜构成，包括底电极层、阻变功能层和顶电极层；所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti₃C₂ene薄膜，阻变功能层为氧化物材料；所述阻变功能层材料为氧化铪、氧化铜、氧化钛、氧化铝、氧化钒、氧化钽、氧化钇、氧化钪、氧化钆、氧化镝、氧化镥中的一种。