[发明专利]半导体器件和其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610964483.6 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN106653785A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 木村雅俊 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在其中多个光接收元件被提供在形成固态图像传感器的多个像素中的每个中的半导体器件中,防止半导体器件的性能的降低,该降低由于导线的数量的增加而出现。在具有第一光电二极管和第二光电二极管的像素中,被耦合到第一光电二极管的第一传输晶体管和被耦合到第二光电二极管的第二传输晶体管分别由相同的栅极电极控制,由此允许用于控制第一传输晶体管和第二传输晶体管的导线的数量被减少。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,具有固态图像传感器,所述固态图像传感器被提供有包括第一光电二极管和第二光电二极管的像素;所述半导体器件包括:半导体衬底;所述第一光电二极管和所述第二光电二极管,被排列在有源区中的所述半导体衬底的上表面之上;栅极电极,被形成在所述半导体衬底之上;第一传输晶体管,具有所述栅极电极并且将所述第一光电二极管中的电荷传输到浮动扩散电容部分;以及第二传输晶体管,具有所述栅极电极并且将所述第二光电二极管中的电荷传输到所述浮动扩散电容部分。
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