[发明专利]酞菁钴气敏元件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种酞菁钴气敏元件及其制备方法。气敏元件由覆于电极上的酞菁钴组成，其中，酞菁钴为膜厚35～100nm的薄膜状，薄膜由棒长为180～250nm、棒直径为35～45nm的纳米棒组成；方法为先将酞菁钴置于≥95％的酸溶液中搅拌后抽滤，再将得到的滤饼交替置于酸溶液或碱溶液中分散后抽滤至少3次，得到纯化的酞菁钴，接着，先将纯化的酞菁钴水洗至其滤液呈中性后干燥，再将得到的酞菁钴粉末分散于正丁醇中，得到酞菁钴正丁醇溶液，之后，先通过界面自主装法将酞菁钴正丁醇溶液于去离子水表面形成酞菁钴薄膜，再使用电极捞取酞菁钴薄膜后静置，将得到的覆于电极上的酞菁钴薄膜干燥，制得目的产物。它可广泛地应用于对二氧化氮气体的高灵敏度检测。

主权项

1.一种酞菁钴气敏元件的制备方法，包括界面自组装法，其特征在于主要步骤如下：步骤1，先将酞菁钴置于30～70℃的≥95％的酸溶液中搅拌至少1h后抽滤，得到滤饼，再将滤饼交替置于0.08～0.12mol/L的酸溶液或碱溶液中分散后抽滤至少3次，得到纯化的酞菁钴；步骤2，先将纯化的酞菁钴水洗至其滤液呈中性后，置于60～100℃下干燥至少20h，得到酞菁钴粉末，再将酞菁钴粉末分散于正丁醇中，得到0.005～0.01g/mL的酞菁钴正丁醇溶液；步骤3，先通过界面自组装法将酞菁钴正丁醇溶液于去离子水表面形成酞菁钴薄膜，再使用电极捞取酞菁钴薄膜后静置至少5min，得到覆于电极上的酞菁钴薄膜，将覆于电极上的酞菁钴薄膜置于100～140℃下干燥至少5min，制得酞菁钴气敏元件；所述酞菁钴气敏元件为覆于电极上的酞菁钴薄膜，其中，酞菁钴薄膜的膜厚为35～100nm，其由纳米棒组成，纳米棒的棒长为180～250nm、棒直径为35～45nm。