[发明专利]一种高质量低缺陷单层石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201610948418.4 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106430165A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何丹农;卢静;涂兴龙;尹桂林;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及了一种高质量低缺陷单层石墨烯的制备方法，将一定量的碱金属钾溶入有机溶剂二甲基亚砜（DMSO）或四氢呋喃（THF）中，形成碱金属‑有机溶剂插入物；加入适量的球形石墨，密封后采用大于1000W功率超声处理30分钟，室温下静置2小时形成一阶石墨层间化合物（KC8）溶液；一阶石墨层间化合物溶液中加入过量的苯甲腈溶液，对石墨层间化合物中的插入物进行转移处理；将溶液滴在表面清洁的Si/SiO2表面，旋涂晾干后即可获得高质量无缺陷的单层石墨烯产物。采用低成本的苯甲腈溶液对一阶石墨层间化合物中的擦层材料进行转移，在改转移过程中，不会引入新的缺陷，从而能够获得单层高质量低缺陷石墨烯产物。可以极大地降低高质量单层石墨烯的生产成本，提高生产效率，让批量生产成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 缺陷 单层 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高质量低缺陷单层石墨烯的制备方法，其特征在于，具体实现步骤为：（1）将一定量的碱金属钾溶入有机溶剂二甲基亚砜（DMSO）或四氢呋喃（THF）中，形成碱金属‑有机溶剂插入物；（2）在步骤（1）中的加入适量的球形石墨，密封后采用大于1000W功率超声处理30分钟，室温下静置2小时形成一阶石墨层间化合物（KC8）溶液；（3）在步骤（2）中一阶石墨层间化合物溶液中加入过量的苯甲腈溶液，对石墨层间化合物中的插入物进行转移处理；（4）将步骤（3）中的溶液滴在表面清洁的Si/SiO2表面，旋涂晾干后即可获得高质量无缺陷的单层石墨烯产物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，未经上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610948418.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
