[发明专利]一种减小压阻传感器温度漂移的方法有效
申请号: | 201610922483.X | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN106525326B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 王璐珩 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | G01L19/04 | 分类号: | G01L19/04;G01L1/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410083 湖南省长沙市岳麓区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种减小压阻传感器温度漂移的方法,属于传感器技术领域。该方法以长径比大于600的碳纳米管为导电相,以室温硫化硅橡胶为绝缘相,利用溶液混合法制和极间硫化法制备出正压阻正温阻系数子单元和负压阻正温阻系数子单元。正压阻正温阻系数子单元中的碳纳米管与硅橡胶的质量比为0.04,负压阻正温阻系数子单元中的碳纳米管与硅橡胶的质量比为0.12。将这两种子单元作为电桥的相邻桥臂,组成可减小温度漂移的差动系统。利用本发明提出的方法可有效抑制温度对压阻传感器的不利影响,并且还可提高压阻灵敏度,特别适合于国防与工业大型设备狭小曲面层间压力测量和人工电子皮肤研制。 | ||
搜索关键词: | 子单元 压阻传感器 碳纳米管 温度漂移 减小 硅橡胶 质量比 负压 正压 人工电子皮肤研制 传感器技术领域 室温硫化硅橡胶 差动系统 大型设备 溶液混合 相邻桥臂 压力测量 有效抑制 种子单元 长径比 导电相 绝缘相 灵敏度 曲面层 硫化 电桥 压阻 国防 | ||
【主权项】:
1.一种减小压阻传感器温度漂移的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:在聚酰亚胺薄膜上覆合一片边长为3.68毫米的小正方形金属电极和一片边长为2.66厘米的大正方形金属电极作为底层封装薄膜,将底层封装薄膜固定于旋转平台上备用;将长度10微米、直径15纳米的碳纳米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按5∶100∶1000的体积比混合,在超声振荡的作用下进行机械搅拌,将正己烷挥发后形成的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料胶状粘稠物滴入固定于旋转平台上的底层封装薄膜的大正方形金属电极之上,利用旋涂形成厚度为60微米的正压阻正温阻系数敏感薄膜,硫化60小时后成型,将硫化在大正方形金属电极表面之外的正压阻正温阻系数敏感薄膜清除;将长度10微米、直径15纳米的碳纳米管、聚二甲基硅氧烷和正己烷按20∶100∶1000的体积比混合,在超声振荡的作用下进行机械搅拌,将正己烷挥发后形成的碳纳米管填充聚二甲基硅氧烷复合材料胶状粘稠物滴入固定于旋转平台上的底层封装薄膜的小正方形金属电极之上;利用旋涂形成厚度为60微米的负压阻正温阻系数敏感薄膜,硫化60小时后成型;将硫化在小正方形金属电极表面之外的负压阻正温阻系数敏感薄膜清除;在底层封装薄膜上的正压阻正温阻系数敏感薄膜和负压阻正温阻系数敏感薄膜周围涂热固胶,形成由正压阻正温阻系数敏感薄膜、负压阻正温阻系数敏感薄膜和热固胶组成的敏感层;将另一个尺寸和结构与底层封装薄膜相同的薄膜作为顶层封装薄膜贴附在所述的敏感层之上,使顶层封装薄膜的大正方形金属电极、正压阻正温阻系数敏感薄膜和底层封装薄膜的大正方形金属电极正对,并使顶层封装薄膜的小正方形金属电极、负压阻正温阻系数敏感薄膜和底层封装薄膜的小正方形金属电极正对,形成由顶层封装薄膜、敏感层和底层封装薄膜组成的三明治结构;用柔性材料封装机对所述的三明治结构进行热压封装,进而完成由顶层封装薄膜的大正方形金属电极、正压阻正温阻系数敏感薄膜和底层封装薄膜的大正方形金属电极构成的正压阻正温阻系数子单元的制备和由顶层封装薄膜的小正方形金属电极、负压阻正温阻系数敏感薄膜和底层封装薄膜的小正方形金属电极构成的负压阻正温阻系数子单元的制备;将正压阻正温阻系数子单元和负压阻正温阻系数子单元接入电桥的相邻桥臂以构成可减小温度漂移的差动系统。
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