[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610919782.8 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978635B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宗高;陈轶群;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：第一导电类型的半导体衬底；第一阱区，形成在半导体衬底中具有第二导电类型；体区形成在半导体衬底中，与第一阱区间隔设置具有第一导电类型；栅极结构形成在半导体衬底上，覆盖半导体衬底中的沟道区，并位于第一阱区的外侧且部分覆盖体区；源极和漏极，形成在栅极结构两侧的半导体衬底中，其中，漏极位于第一阱区内；金属硅化物阻挡层，形成在栅极结构与漏极之间的半导体衬底的表面上；极板层，形成在金属硅化物阻挡层的表面上。本发明的半导体器件，提高了击穿电压，降低了导通电阻，进而提高了半导体器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一阱区，形成在所述半导体衬底中，具有第二导电类型；体区，形成在所述半导体衬底中，与所述第一阱区间隔设置，具有第一导电类型；栅极结构，形成在所述半导体衬底上，覆盖所述半导体衬底中的沟道区，并位于所述第一阱区的外侧且部分覆盖所述体区；源极和漏极，形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中，其中，所述漏极位于所述第一阱区内；金属硅化物阻挡层，形成在所述栅极结构与所述漏极之间的所述半导体衬底的表面上；极板层，形成在所述金属硅化物阻挡层的表面上。
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