[发明专利]晶片及晶片制造方法

摘要

本发明公开了一种晶片及晶片制造方法，用以由半导体晶圆制造晶片。半导体晶圆具有多个切割道位于其前表面。该晶片制造方法包含：在半导体晶圆上分别对齐切割道的交集处的位置形成多个裂缝停止结构；沿着切割道照射激光束聚焦于半导体晶圆的内部以诱发裂缝；以及使被照射的半导体晶圆沿着裂缝断裂至裂缝停止结构，进而使被照射的半导体晶圆分割出晶片。借此，分割后晶片可获得较佳的角落品质，因为裂缝停止结构可有效地防止位于边缘的裂缝不能扩展至角落。

主权项

一种晶片制造方法，用以由半导体晶圆制造多个晶片，所述半导体晶圆具有前表面，所述前表面上定义有多个切割道，其特征在于，所述晶片制造方法包含：在所述半导体晶圆上分别对齐所述多个切割道的交集处的多个位置形成多个裂缝停止结构；沿着所述多个切割道照射激光束聚焦于所述半导体晶圆的内部以诱发多个裂缝；以及使被照射的所述半导体晶圆沿着所述多个裂缝断裂至所述多个裂缝停止结构，进而使被照射的所述半导体晶圆分割出所述多个晶片。