[发明专利]一种立方氮化硼薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610914489.2 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106399938A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李丙文;马宁 | 申请（专利权）人： | 富耐克超硬材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 郑州立格知识产权代理有限公司41126 | 代理人： | 田小伍,付红莉 |
| 地址： | 450000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立方氮化硼薄膜的制备方法，属于超硬薄膜材料领域，该制备方法以Si晶片为衬底、hBN为靶材进行射频溅射，包括以下步骤（1）衬底预溅射溅射气体为惰性气体，溅射功率160‑400W，衬底负偏压‑280~‑350V，衬底温度500℃，预真空度1.3×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.3~2Pa，溅射时间5~15min；（2）薄膜成核溅射气体为惰性气体与N2的混合气体，溅射功率100‑400W，衬底负偏压‑200~‑300V，衬底温度400~600℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.33~2Pa，溅射时间15~45min；（3）薄膜生长溅射气体为氮气或惰性气体与N2的混合气体溅射功率200‑400W，衬底负偏压‑130~‑200V，衬底温度200~300℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压0.6~1.5Pa，溅射时间45‑120min；（4）退火。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，以Si晶片为衬底、hBN为靶材进行射频溅射，包括以下步骤：（1）衬底预溅射：溅射气体为惰性气体，溅射功率160‑400W，衬底负偏压‑280~‑350V，衬底温度500℃，预真空度1.3×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.3~2Pa，溅射时间5~15min；（2）薄膜成核：溅射气体为惰性气体与N2的混合气体，溅射功率100‑400W，衬底负偏压‑200~‑300V，衬底温度400~600℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.33~2Pa，溅射时间15~45min；（3）薄膜生长：溅射气体为氮气或惰性气体与N2的混合气体，溅射功率200‑400W，衬底负偏压‑130~ ‑200V，衬底温度200~300℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压0.6~1.5Pa，溅射时间45‑120min；（4）退火。
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