[发明专利]一种聚苯乙烯微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法有效
| 申请号： | 201610909149.0 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106935501B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 方靖岳;王飞;孙佳雨;江盼盼;刘哲;方涛;张学骜;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;B82B3/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 魏国先 |
| 地址： | 410073 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种聚苯乙烯微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法，硅基片表面形成二氧化硅衬底，库仑岛和电极集成设置在二氧化硅衬底上，在二氧化硅衬底上制备出均匀紧密排布的聚苯乙烯微球单层膜模板，利用电子束蒸发镀膜的方法在聚苯乙烯微球单层膜模板表面镀金薄膜，再利用化学腐蚀方法和后处理得到金纳米颗粒阵列；然后采用原子层沉积在金纳米颗粒阵列之上形成氧化铝势垒层，采用电子束曝光、电子束蒸发镀膜和/或剥离的方法制备电极，最后采用原子层沉积在电极和氧化铝势垒层上制备氧化铝保护层。本发明库仑岛尺寸可控且为阵列，方便定位和批量制备；库仑岛与电极间势垒的大小精确可控。在光子、电子、环境、安全等领域应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚苯乙烯 模板 组装 颗粒 制备 电子 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种PS微球模板组装金颗粒制备单电子晶体管的方法，其特征在于：首先通过热氧化处理硅基片，使硅基片表面形成二氧化硅衬底，库仑岛和电极集成设置在二氧化硅衬底上，其特征在于：在二氧化硅衬底上制备出均匀紧密排布的PS微球单层膜模板，利用电子束蒸发镀膜的方法在PS微球单层膜模板表面镀金薄膜，再利用化学腐蚀方法和后处理得到金纳米颗粒阵列；然后采用原子层沉积在金纳米颗粒阵列之上形成氧化铝势垒层，采用电子束曝光、电子束蒸发镀膜和/或剥离的方法制备电极，最后采用原子层沉积在电极和氧化铝势垒层上制备氧化铝保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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