[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610906470.3 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107958952B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宋以斌;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有钉扎层和掩膜层，所述掩膜层中形成有圆形开口图案；在所述圆形开口内自下而上依次形成嫁接层和嵌段共聚物材料层；对所述嵌段共聚物材料层进行自组装处理，以在所述开口的侧壁上形成依次设置的第二单体、第一单体和第二单体；去除所述第一单体，以在所述第二单体之间形成环形开口；以所述第二单体为掩膜，蚀刻所述钉扎层，以形成第一环形钉扎层和第二环形钉扎层，所述第一环形钉扎层和第二环形钉扎层之间形成有环形开口；在所述环形开口中形成依次设置的第一隧道阻挡层、自由转动磁性层和第二隧道阻挡层。根据本发明制得的微小尺寸环形垂直磁性隧道结，可以提高器件的集成密度，为高密度MRAM的开发提供了一条新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有钉扎层和掩膜层，所述掩膜层中形成有圆形开口图案；在所述圆形开口内自下而上依次形成嫁接层和嵌段共聚物材料层；对所述嵌段共聚物材料层进行自组装处理，以在所述开口的侧壁上形成依次设置的第二单体、第一单体和第二单体；去除所述第一单体，以在所述第二单体之间形成环形开口；以所述第二单体为掩膜，蚀刻所述钉扎层，以形成第一环形钉扎层和第二环形钉扎层，所述第一环形钉扎层和第二环形钉扎层之间形成有环形开口；在所述环形开口中形成依次设置的第一隧道阻挡层、自由转动磁性层和第二隧道阻挡层。
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