[发明专利]一种薄膜晶体管以及显示单元在审
| 申请号： | 201610905908.6 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106409882A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 宋文庆 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种薄膜晶体管，包括源极、漏极、衬底以及涂覆在所述衬底上的半导体薄膜层，所述半导体薄膜层上镀有相互不接触的第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层上连接有第一金属引线，所述第二金属层上连接有第二金属引线，所述第一金属引线与所述第二金属引线连接形成栅极。本发明还提供一种显示单元。本发明将栅极原有的金属层分隔开形成第一金属层和第二金属层，来使得其等效电阻的阻止更小，能够有效增加开态电流以及减小漏电流，并且不需要改变机台的制程，易于改进和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 以及 显示 单元 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括衬底、位于所述衬底一侧的源极和漏极、以及与所述源极和漏极分别相连的涂覆在所述衬底上的半导体薄膜层，其特征在于，所述半导体薄膜层上镀有相互不接触的第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层上连接有第一金属引线，所述第二金属层上连接有第二金属引线，所述第一金属引线与所述第二金属引线连接形成栅极。
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