[发明专利]一种基于MnZn铁氧体薄膜的太赫兹波调制器在审
| 申请号： | 201610896751.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106405976A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 廖宇龙;张岱南;王鑫宇;张怀武;杨青慧;文天龙;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/015;C04B35/38;C04B35/622 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于MnZn铁氧体薄膜的太赫兹波调制器，属于太赫兹功能器件技术领域。包括自下而上依次层叠的P型硅衬底3、锰锌铁氧体薄膜2和石墨烯层1，源端4，漏端5和栅端6，其中，锰锌铁氧体薄膜2采用溅射法制备得到。本发明太赫兹波调制器采用具有高饱和磁化强度、低矫顽力的MnZn铁氧体磁性薄膜作为中间层，具有调制频率宽、透射率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mnzn 铁氧体 薄膜 赫兹 调制器 | ||
【主权项】：
一种基于MnZn铁氧体薄膜的太赫兹波调制器，包括自下而上依次层叠的P型硅衬底(3)、锰锌铁氧体薄膜(2)和石墨烯层(1)，源端(4)，漏端(5)和栅端(6)，其中，锰锌铁氧体薄膜(2)采用溅射法制备得到。
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