[发明专利]一种单分散结构g‑C3N4纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610885710.6 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106629638A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 徐光青;范程控;苗继琳;吕珺;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳结构及光催化技术领域，具体是涉及一种单分散结构的g‑C3N4纳米片及其制备方法。单分散结构的g‑C3N4纳米片尺寸在10‑50nm之间，颗粒分布均匀，无团聚现象。它是采用水蒸汽气氛条件下的二次煅烧法制备，制备条件温和，可进行宏量制备。单分散结构的g‑C3N4纳米片比表面积大、分散性好，具有更高的反应活性位点，可有效应用于光催化降解有机物和光解水制氢。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分散 结构 c3n4 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单分散结构g‑C3N4纳米片，其特征在于：所述的g‑C3N4纳米片的尺寸为10‑50nm，颗粒分布均匀，无团聚现象。
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