[发明专利]一种单分散结构g‑C3N4纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610885710.6 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106629638A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 徐光青;范程控;苗继琳;吕珺;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分散 结构 c3n4 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种单分散结构g-C3N4纳米片，其特征在于：所述的g-C3N4纳米片的尺寸为10-50nm，颗粒分布均匀，无团聚现象。
2.一种单分散结构g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于：采用水蒸汽气氛条件下的二次煅烧法制备。
3.如权利要求2所述的单分散结构g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
(1)一次煅烧：以含氮基团有机物为原料，将原料置于烧舟中，然后将烧舟置于马弗炉中，在空气中煅烧获得g-C3N4粗粉；
(2)二次煅烧：以步骤(1)中的g-C3N4粗粉为原料，将原料置于烧舟中，然后将烧舟置于密封性管式炉中，以惰性气体为载流气，将惰性气体通过蒸馏水后再进入密封性管式炉中煅烧，获得单分散结构g-C3N4纳米片。
4.如权利要求3所述的单分散结构g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于：步骤(1)中含氮基团有机物原料为尿素、硫脲、三聚氰胺、双氰胺、氰胺中的一种或几种的混合物。
5.如权利要求3所述的单分散结构g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于：步骤(1)中煅烧温度为500-550℃，时间为2-5h。
6.如权利要求3所述的单分散结构g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的煅烧温度为300-700℃，时间为2-6h。
7.如权利要求3所述的单分散结构g-C3N4纳米片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中惰性气体为氮气或氩气。
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