[发明专利]包括沟槽内的特征件的电子器件

摘要

本发明涉及包括沟槽内的特征件的电子器件。具体而言，一种可以被图形化以限定沟槽和特征件的半导体衬底。在一个实施例中，能够形成沟槽使得在以材料填充了沟槽之后，在衬底薄化操作期间可以使所填充沟槽的底面部分暴露。在另一个实施例中，沟槽能够以热氧化物来填充。特征件能够具有减小在特征件和沟槽壁之间的距离将于随后的处理期间改变的可能性的形状。一种结构，能够至少部分形成于沟槽之内，其中该结构能够通过利用沟槽的深度而具有相对大的面积。该结构对制成诸如无源零件和穿过衬底的通孔的电子零件能够是有用的。限定沟槽并形成结构的工艺序列能够对于许多不同的工艺流程来调整。

主权项

1.一种电子器件，包括：/n限定沟槽的管芯衬底，所述沟槽具有延伸穿过所述管芯衬底的深度；/n布置成与所述沟槽相邻的特征件；以及/n布置于所述沟槽内的电容器结构，/n其中所述特征件沿着所述沟槽的所述深度延伸，所述沟槽具有至少40微米的深度；并且/n从顶视图看，所述特征件包括第一垂直段、第二垂直段、第三垂直段、第一连接段和第二连接段，其中：/n所述第二垂直段设置在所述第一垂直段和所述第三垂直段之间，/n所述第二垂直段具有第一端和与所述第一端相对的第二端，/n所述第一连接段在沿所述第二垂直段的第一位置将所述第一垂直段连接到所述第二垂直段，所述第一连接段相比于所述第二端更靠近所述第一端，并且/n所述第二连接段在沿所述第二垂直段的第二位置将所述第三垂直段连接到所述第二垂直段，所述第二连接段相比于所述第一端更靠近所述第二端。/n