[发明专利]测试方法有效
| 申请号： | 201610877477.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887287B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 夏泽坤;王兴;李洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种测试方法。本发明提供的测试方法，在进行测试时，通过基准单元获得一基准夹断电压；通过所述测试单元获得测试夹断电压，依据所述测试夹断电压与所述基准夹断电压的大小判断所述第二外延层在形成时的温度情况。由此，能够直观的检测到外延层在形成时的温度情况，也就能够对其质量有着较佳的把握，从而对有异常的产品及时作出调整，避免了探针检测和最终检测良率低的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种测试方法，利用一测试结构进行测试，所述测试结构包括基准单元和测试单元；所述基准单元包括第一衬底；位于所述第一衬底上的第一外延层；位于所述第一外延层中的第一源/漏极，位于所述第一外延层上所第一述源/漏极之间的第一栅极；其中，所述第一衬底电连接所述第一栅极，所述第一源极接地，所述第一漏极连接一外部电源；所述测试单元包括第二衬底；位于所述第二衬底上的第二外延层；位于所述第二外延层中的第二源/漏极，位于所述第二外延层上所述第二源/漏极之间的第二栅极；所述测试方法包括：利用所述基准单元获得一基准夹断电压；测量所述测试单元的测试夹断电压，依据所述测试夹断电压与所述基准夹断电压的大小判断所述第二外延层在形成时的温度情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
