[发明专利]一种纳米银复合氧化锡透明导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610877043.7 | 申请日: | 2016-10-09 |
公开(公告)号: | CN106374010B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 刘炳光;李建生;王少杰;刘希东;马德胜;韩秋坡;田磊 | 申请(专利权)人: | 天津市职业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300410*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种纳米银复合氧化锡透明导电薄膜的制备方法,在溶胶‑凝胶法制备的氧化锡导电薄膜孔隙中填充可溶性银盐和亚锡盐,原位还原生成纳米银粒子,高温烧结得到纳米银复合氧化锡透明导电薄膜,纳米银复合氧化锡透明导电薄膜的化学组成为AgxSnO2‑yFy,分子式中,x=0.01‑0.1,y=0‑0.6,采取的技术方案包括在太阳电池玻璃基体上涂覆二氧化硅过渡层、掺氟氧化锡纳米溶胶制备、掺氟氧化锡凝胶薄膜制备、多孔氧化锡凝胶薄膜孔隙填充、纳米银复合氧化锡透明导电薄膜形成五部分。本发明是降低FTO导电薄膜电阻简便易行的技术措施,具有产业化应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 复合 氧化 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米银复合氧化锡透明导电薄膜的制备方法,其特征是在溶胶‑凝胶法制备的氧化锡导电薄膜孔隙中填充可溶性银盐和亚锡盐,原位还原生成纳米银粒子,高温烧结得到纳米银复合高透光率低方块电阻氧化锡透明导电薄膜,纳米银复合氧化锡透明导电薄膜的化学组成为:AgxSnO2‑yFy ,其中, x=0.01‑0.1,y =0‑0.6,采取的技术方案包括在太阳电池玻璃基体上涂覆二氧化硅过渡层、掺氟氧化锡纳米溶胶制备、掺氟氧化锡凝胶薄膜制备、多孔氧化锡凝胶薄膜孔隙填充、纳米银复合氧化锡透明导电薄膜形成五部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市职业大学,未经天津市职业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610877043.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的