[发明专利]一种MEMS二维湍流传感器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610876594.1 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106568569B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王任鑫;张国军;任子明;白冰;薛晨阳 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01M10/00 | 分类号： | G01M10/00;G01L9/06 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及海洋湍流探测领域，具体是一种MEMS二维湍流传感器结构及其制备方法，包括SOI基片，SOI基片的顶层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成中心圆盘结构，埋氧层被刻蚀形成“田”字型结构，中心圆盘位于“田”字型结构的十字悬臂梁的交叉处，十字悬臂梁的四个梁臂上都设有硅纳米线，埋氧层上还设有金属引线，金属引线将硅纳米线连接由此形成惠斯通电桥，中心圆盘上集成有硅纤毛，底层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成方框状结构，“田”字型结构的四周支撑在方框状结构上。本发明针对海洋湍流探测维度、分辨率、灵敏度不够的技术问题，提出基于巨压阻效应的MEMS二维湍流传感器，利用纤毛‑十字梁结构和硅纳米线敏感单元实现湍流高灵敏度、高分辨、二维探测。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 埋氧层 二维湍流 硅纳米线 中心圆盘 字型结构 传感器结构 方框状结构 海洋湍流 金属引线 悬臂梁 纤毛 制备 探测 惠斯通电桥 二维探测 高灵敏度 敏感单元 压阻效应 底层硅 顶层硅 高分辨 交叉处 灵敏度 十字梁 传感器 分辨率 湍流 梁臂 维度 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS二维湍流传感器结构，其特征在于包括SOI基片（1），SOI基片（1）的顶层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成中心圆盘结构，埋氧层被刻蚀形成“田”字型结构，中心圆盘位于“田”字型结构的十字悬臂梁（4）的交叉处，埋氧层十字悬臂梁（4）的四个梁臂上都设有硅纳米线（2），埋氧层上还设有金属引线（3），金属引线（3）将硅纳米线（2）连接由此在埋氧层上形成惠斯通电桥，中心圆盘上集成有硅纤毛（5），底层硅被刻蚀至埋氧层并被刻蚀成方框状结构，“田”字型结构的四周支撑在方框状结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学，未经中北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610876594.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
