[发明专利]上电复位电路在审
| 申请号： | 201610876564.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107885301A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/24 | 分类号： | G06F1/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种上电复位电路，包括本发明提供的上电复位电路，包括第一～第二电阻、第一NMOS、第一～第二PMOS以及多个串联运算放大器形成的上电复位电路输出端；第一NMOS源极接地，其栅极连接在第一电阻和第二电阻之间，其漏极连接上电复位电路输出端；第一PMOS的源极和第二PMOS源极连接电源电压，第一PMOS漏极、第一PMOS栅极和第二PMOS栅极连接第二电阻一端，第二电阻另一端通过第一电阻接地；第二PMOS漏极连接第一NMOS漏极。本发明利用第一PMOS和第二PMOS构成电流镜像作为反相放大器负载取代了大阻值的电阻，在相同功耗情况下大大节约了电阻，进而减小上电复位电路占用版图面积，提高上电复位电路适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一～第二电阻(R1～R2)、第一NMOS(N1)、第一～第二PMOS(P1、P2)以及多个串联运算放大器形成的上电复位电路输出端；第一NMOS(N1)源极接地，其栅极连接在第一电阻(R1)和第二电阻(R2)之间，其漏极连接上电复位电路输出端；第一PMOS(P1)的源极和第二PMOS(P2)源极连接电源电压，第一PMOS(P1)漏极、第一PMOS(P1)栅极和第二PMOS(P2)栅极连接第二电阻(R2)一端，第二电阻(R2)另一端通过第一电阻(R1)接地；第二PMOS(P2)漏极连接第一NMOS(N1)漏极。
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