[发明专利]上电复位电路在审
| 申请号： | 201610876564.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107885301A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/24 | 分类号： | G06F1/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复位 电路 | ||
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一～第二电阻(R1～R2)、第一NMOS(N1)、第一～第二PMOS(P1、P2)以及多个串联运算放大器形成的上电复位电路输出端；
第一NMOS(N1)源极接地，其栅极连接在第一电阻(R1)和第二电阻(R2)之间，其漏极连接上电复位电路输出端；
第一PMOS(P1)的源极和第二PMOS(P2)源极连接电源电压，第一PMOS(P1)漏极、第一PMOS(P1)栅极和第二PMOS(P2)栅极连接第二电阻(R2)一端，第二电阻(R2)另一端通过第一电阻(R1)接地；
第二PMOS(P2)漏极连接第一NMOS(N1)漏极。
2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，还包括：设置于第一电阻(R1)与地之间用于提高触发电压精度的装置。
3.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：所述提高触发电压精度的装置是连接在第一电阻(R1)与地之间的第二NMOS(N2)，第二NMOS(N2)源极接地，第二NMOS(N2)栅极和漏极短接后连接第一电阻(R1)。
4.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：第一NMOS(N1)的起放大作用。
5.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：第一PMOS(P1)和第二PMOS(P2)构成电流镜。
6.如权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于：第二PMOS(P2)作为电流镜负载，其镜像电流来自第一PMOS(P1)。
7.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：第一NMOS(N1)和第二PMOS(P2)构成反相放大器。
8.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：上电复位电路输出端具有至少3个串联运算放大器。
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