[发明专利]具有减少的恢复时间的二极管有效
| 申请号： | 201610875868.5 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107180877B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | M·萨姆比;D·里帕莫蒂;D·U·吉祖;D·比恩齐 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了具有减少的恢复时间的二极管。一种二极管，包括由前表面限定的半导体主体，并且包括：具有第一导电类型的第一半导体区域，至少部分地面对前表面；以及具有第二导电类型的第二半导体区域，第二半导体区域至少部分地面对前表面并且以一定距离围绕第一半导体区域的至少一部分。该二极管进一步包括：沟槽，其从前表面开始在半导体主体中延伸，包围第二半导体区域的至少一部分；以及被布置在沟槽内的外侧绝缘区域，其通过电介质材料形成并且至少部分地接触第二半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 恢复时间 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管，包括:半导体主体，具有前表面，所述半导体主体包括：具有第一导电类型的第一半导体区域，至少部分地面对所述前表面；以及具有第二导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域至少部分地面对所述前表面并且与所述第一半导体区域分隔开以及被定位在所述第一半导体区域的相对侧上；沟槽，其从所述前表面开始在所述半导体主体中延伸，并且包围所述第二半导体区域的至少一部分；以及侧向绝缘区域，其被布置在所述沟槽内，所述侧向绝缘区域通过电介质材料形成并且至少部分地接触所述第二半导体区域。
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