[发明专利]一种新型低触发电压硅控整流器及其制作方法在审
| 申请号： | 201610875402.5 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449635A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型低触发电压硅控整流器及其制作方法，该整流器包括：半导体基体；生成于基体中一侧的N阱(50)及另一侧P阱(60)；于所述N阱(50)通过掺杂形成的等效PNP三极管结构以及于所述P阱(60)通过掺杂形成的等效NPN三极管结构；插入于所述N阱与所述P阱之间的重掺杂的N结；形成于所述N结下方的P阱区内的ESD植入层(40)，本发明通过在现有的硅控整流器的N阱和P阱之间的N结下方的P阱区额外加入一道P型的重掺杂的ESD_IMP，使得该N结和其下面的ESD_IMP形成垂直方向的N+/P+二极管，从而进一步降低N阱对P阱的反向击穿电压，进一步降低该硅可控整流器的回滞效应的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 触发 电压 整流器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种新型低触发电压硅控整流器，其特征在于，该整流器包括：半导体基体(70)；生成于所述半导体基体(70)中一侧的N阱(50)及另一侧P阱(60)；于所述N阱(50)通过掺杂形成的等效PNP三极管结构以及于所述P阱(60)通过掺杂形成的等效NPN三极管结构；插入于所述N阱与所述P阱之间的重掺杂的N结(24)；形成于所述N结(24)下方的P阱区内的ESD植入层(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
