[发明专利]包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备有效
| 申请号： | 201610866845.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106910523B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | M·帕索蒂;F·德桑蒂斯;R·布雷戈利;D·莱沃恩斯;S·皮特伊 | 申请（专利权）人： | 意法设计与应用股份有限公司;意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 捷克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备。一种用于生成基准电压的设备包括第一非易失性存储器单元，设置有控制栅极晶体管和读取晶体管。控制栅极晶体管包括栅极端子、主体、第一导电端子和第二导电端子。第一导电端子和第二导电端子被连接在一起以形成控制栅极端子。读取晶体管包括被连接到控制栅极晶体管的栅极端子以形成浮置栅极端子的栅极端子、主体、第三导电端子和第四导电端子。该设备还包括第二等效存储器单元。第一非易失性存储器单元的源极端子和第二等效存储器单元的源极端子被连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 非易失性存储器 单元 用于 生成 电压 基准 设备 | ||
【主权项】：
一种用于生成基准电压的设备，所述设备包括：第一非易失性存储器单元，包括控制栅极晶体管和读取晶体管；以及第二等效存储器单元；其中，所述控制栅极晶体管包括栅极端子、主体、第一导电端子和第二导电端子，所述第一导电端子和所述第二导电端子被连接在一起以形成控制栅极端子；并且其中，所述读取晶体管包括被连接到所述控制栅极晶体管的所述栅极端子以形成浮置栅极端子的栅极端子、主体、第三导电端子和第四导电端子；其中，所述第一非易失性存储器单元的源极端子和所述第二等效存储器单元的源极端子被连接在一起；并且其中，所述设备被配置为使得所述基准电压在所述浮置栅极端子上被获取，并且通过所述第一非易失性存储器单元和所述第二等效存储器单元的导电端子的供电状况来确定。
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