[发明专利]基于二维X射线检测技术晶粒尺寸的快速检测方法有效

专利信息
申请号: 201610866462.0 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN106596356B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 何飞;苏皓;徐金梧;徐科 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: G01N15/02 分类号: G01N15/02
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于二维X射线检测技术晶粒尺寸的快速检测方法,属于晶粒尺寸测量技术领域。该方法首先对参考样品进行金相或EBSD数据采集,得到参考样品的平均晶粒大小、晶粒分布情况等,对参考样品多个检测视场进行标记,对比标记视场的金相结果和X射线衍射结果,建立衍射信息与晶粒尺寸关系;从而建立基于平均晶粒尺寸公式和晶粒尺寸分布模型。然后对测试样品采集X射线衍射信息,依据参考样品的计算模型即可计算平均晶粒和晶粒尺寸分布。该方法能够实现对晶粒尺寸的快速检测,适用于多晶材料晶粒尺寸快速检测的工业应用。
搜索关键词: 基于 二维 射线 检测 技术 晶粒 尺寸 快速 方法
【主权项】:
1.一种基于二维X射线检测技术晶粒尺寸的快速检测方法,其特征在于:具体步骤如下:(一)制备参考样品并采集参考样品的金相或EBSD数据,得到参考样品的平均晶粒大小、晶粒分布情况以及待测织构含量;(二)利用X射线增感屏确定X射线光斑位置,对参考样品的三个以上的检测视场进行标记;(三)获得标记视场的金相或EBSD结果以及X射线衍射结果,标记视场的金相结果或EBSD结果与X射线衍射结果对比,建立衍射结果与晶粒尺寸的关系;(四)统计每个衍射结果的光斑个数以及光斑信息;(五)基于视场中光斑平均个数的数据,建立计算平均晶粒尺寸公式;基于每个光斑的衍射强度信息,建立晶粒尺寸以及晶粒尺寸分布计算模型;(六)对测试样品采集X射线衍射结果,根据平均晶粒尺寸公式和晶粒尺寸以及晶粒尺寸分布计算模型,计算平均晶粒尺寸和晶粒尺寸分布;所述参考样品和测试样品性质相同,晶粒尺寸为100‑200μm;所述步骤(三)X射线衍射结果包括光斑衍射的光斑峰值、光斑面积、光斑强度均值和光斑强度总值,其中,光斑峰值为光斑中像素点强度的最大值,光斑面积为光斑中像素点的个数,光斑强度均值为光斑中每个像素点强度的均值,光斑强度总值为光斑中每个像素点强度的和。
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