[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201610862476.5 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876300B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 古矢正明;森秀树 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;黄剑锋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够提高基板处理效率的基板处理装置和基板处理方法。实施形态的基板处理装置具备：退避室(31)，将退避室(31)夹在中间地设置的一对处理室(21)，起能够遍及退避室(31)内和一对处理室(21)内地移动地设置、给处理室(21)内的基板(W)上提供处理液、并且加热该基板(W)上的处理液的处理部的作用的加热器(32)，以及起使加热器(32)遍及退避室(31)内和一对处理室(21)内地移动的移动机构的作用的加热器移动机构(33)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：退避室；一对处理室，将上述退避室夹在中间地设置；处理部，能够遍及上述退避室内和上述一对处理室内地移动地设置，对上述处理室内的基板上提供处理液，并且加热该基板上的处理液；移动机构，使上述处理部遍及上述退避室内和上述一对处理室内地移动；以及喷嘴头，设置在上述处理室内，对上述处理室内的上述基板提供与上述处理部所提供的处理液不同的处理液；以及控制部，在上述喷嘴头对上述处理室内的上述基板提供与上述处理部所提供的处理液不同的处理液的情况下，上述控制部控制上述移动机构，以使提供与上述处理部所提供的处理液不同的处理液的上述喷嘴头所存在的上述处理室内的上述处理部移动到上述退避室内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子株式会社，未经芝浦机械电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610862476.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
