[发明专利]应力敏感性降低的微机电传感器器件有效
| 申请号： | 201610857572.0 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106597014B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | A·托齐奥;F·里奇尼;L·奎利诺尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及应力敏感性降低的微机电传感器器件。一种提供有感测结构的MEMS传感器器件，包括：具有在水平面中延伸的上表面的衬底；悬置在衬底的上方的惯性质量；弹性耦合元件，弹性耦合元件弹性地连接到惯性质量，以便使得它们相对于衬底的惯性移动作为沿着属于水平面的感测轴的待检测量的函数；和感测电极，感测电极电容耦合到惯性质量，以便形成至少一个感测电容器，其电容值指示待检测量。微机电感测结构包括悬置结构，感测电极被刚性地耦合到悬置结构，并且惯性质量通过弹性耦合元件弹性地耦合到悬置结构；悬置结构通过弹性悬置元件被连接到相对于衬底固定的锚固结构。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 敏感性 降低 微机 传感器 器件 | ||
【主权项】：
一种提供有微机电感测结构(20)的MEMS传感器器件(41)，包括：‑具有在水平面(xy)中延伸的上表面(2a)的衬底(2)；‑悬置在所述衬底(2)的上方的惯性质量(30)；‑弹性耦合元件(32)，所述弹性耦合元件(32)弹性地连接到所述惯性质量(30)，以便使得所述惯性质量(30)相对于所述衬底(2)的惯性移动作为沿着属于所述水平面(xy)的感测轴(x)的待检测量的函数；以及‑感测电极(35a，35b)，所述感测电极(35a，35b)电容耦合到所述惯性质量(30)，以便形成至少一个感测电容器(C1，C2)，其电容值指示所述待检测量，其特征在于，所述MEMS传感器器件(41)包括悬置结构(21)，所述感测电极(35a，35b)被刚性地耦合到所述悬置结构(21)，并且所述惯性质量(30)通过所述弹性耦合元件(32)弹性地耦合到所述悬置结构(21)；所述悬置结构(21)通过弹性悬置元件(28)被连接到相对于所述衬底(2)固定的锚固结构(23)。
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