[发明专利]电压控制方法、三分段驱动器以及驱动电路有效
申请号: | 201610856404.X | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106452076B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 徐光煜;郑欣;陈友福;罗建军 | 申请(专利权)人: | 上海智浦欣微电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及电子电路技术领域,公开了一种电压控制方法、三分段驱动器以及驱动电路。本发明中,电压控制方法,用于控制开关电源的高压MOS管的栅源电压,该电压控制方法包括:在电源电压至所述高压MOS管的开启电压VTH之间,采用强驱动,驱动高压MOS管从线性区导通状态进入饱和区导通状态;在VTH至亚阈值电压VTH‑之间,采用弱驱动,减缓高压MOS管中电流的变化率;其中,VTH‑比VTH的值小;在VTH‑至最低电势之间,采用强驱动,驱动高压MOS管完全截止。这样,可在兼顾过电压和EMC指标的同时,可以提高开关速度和减小死区时间,显著提升开关电源的效率。 | ||
搜索关键词: | 电压 控制 方法 分段 驱动器 以及 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电压控制方法,其特征在于,用于控制开关电源的高压MOS管的栅源电压,所述电压控制方法包括:在电源电压至所述高压MOS管的开启电压VTH之间,采用强驱动,驱动所述高压MOS管从线性区导通状态进入饱和区导通状态;在所述VTH至亚阈值电压VTH‑之间,采用弱驱动,减缓所述高压MOS管中电流的变化率;其中,所述VTH‑比所述VTH的值小;在所述VTH‑至最低电势之间,采用强驱动,驱动所述高压MOS管完全截止。
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