[发明专利]碳化硅基板的制造方法有效
| 申请号： | 201610853198.7 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107059135B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B33/00;C30B29/36;B28D5/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;安翔 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块(1)的步骤和通过切割晶块(1)获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块(1)的<11‑20>方向或<1‑100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅基板的制造方法，包括如下步骤：制备单结晶碳化硅的结晶(1)；将所述结晶(1)设置成柱状，以使得所述结晶(1)的侧表面的一部分由支撑基部(2)支撑；以及通过切割所述结晶(1)来获得基板(3)，在所述获得基板(3)的步骤中，在线(9)沿着所述结晶(1)的直径方向的行进方向行进的同时，所述线(9)沿着与所述行进方向相垂直的切割方向移动，并且在如下的所述切割方向上进行切割：所述切割方向相对于所述结晶(1)的<11‑20>方向或<1‑100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°，并且在所述获得基板(3)的步骤中，所述结晶(1)被切割为：使得所述基板(3)的直径与厚度的比值不小于100。
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