[发明专利]一种光电探测器及光电探测装置有效
申请号: | 201610851904.4 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN106252454B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种光电探测器及光电探测装置,通过在光感有源层背离第一电极和第二电极的一侧设置第三电极,可以通过对第三电极施加与第一电极的电压或第二电极的电压不同的电压,使第三电极至少与第一电极或第二电极中的一个电极之间产生电场,以使光电探测器中的总电场方向由原来的水平方向变化为其它方向,从而改变电子泄漏的通道,可以降低水平电场导致的暗电流,进而当光电探测器进行光探测产生光电流时,可以提高光电流与暗电流的对比度。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 探测 装置 | ||
【主权项】:
一种光电探测器,包括:光感有源层、位于所述光感有源层一侧的相互绝缘且间隔设置的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别与所述光感有源层电连接,其特征在于,还包括:位于所述光感有源层另一侧的第三电极;所述第三电极的材料为高反射性的不透明金属材料;所述第一电极与所述第二电极组成交叉指形电极;所述第一电极与所述第二电极用于被施加不同的电压,所述第三电极用于被施加与所述第一电极的电压或所述第二电极的电压不同的电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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