[发明专利]载置台和等离子体处理装置有效
申请号: | 201610849464.9 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107039326B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 小岩真悟;工藤恭久;小泉克之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;邸万杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制,为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制,内置有吸附用电极和加热器。吸附部通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间,使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成用于对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制,与冷却台和基座接触,将基座和第一弹性部件挟持在冷却台与紧固部件之间。 | ||
搜索关键词: | 载置台 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种载置台,其特征在于,包括:形成有制冷剂用的流路的金属制的冷却台;与所述冷却台连接的供电体,是传送来自高频电源的高频电力的铝或者铝合金制的供电体;静电吸盘,包括设置在所述冷却台之上的导电性的基座和陶瓷制的吸附部,所述吸附部内置吸附用电极和加热器,并且设置在所述基座之上,通过金属接合与该基座结合;绝缘性的第一弹性部件,设置在所述冷却台与所述基座之间,使所述静电吸盘与所述冷却台隔开间隔,且与该冷却台和该基座一起形成用于对所述冷却台与所述基座之间供给传热气体的传热空间;和金属制的紧固部件,与所述冷却台和所述基座接触,将所述基座和所述第一弹性部件夹持在所述冷却台与该紧固部件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造