[发明专利]存储器装置有效
| 申请号： | 201610846581.X | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107123439B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈芳;廖忠志;傅士奇;梁铭彰;崔壬汾;陈炎辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑特强;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种存储器装置，包括一静态随机存取存储器(SRAM)阵列以及邻接SRAM阵列的一SRAM边缘单元区域。SRAM阵列以及SRAM边缘单元区域的组合是包括具有一均匀节距的第一栅极电极。一字元线驱动器是邻接于SRAM边缘单元区域。字元线驱动器包括第二栅极电极，以及第一栅极电极的纵向方向是与对应的第二栅极电极的纵向方向对齐。本公开通过将SRAM边缘单元区域(或者SRAM阵列)与字元线驱动器以及输入输出区块邻接，即移除于常规SRAM电路中所采用介于上述区域之间之的间距，因此可减少由整个SRAM电路所占据之的晶片区域。除此之外，通过于区域/电路中形成栅极电极使其具有一均匀节距，以减少形成闸极栅极电极时之的图案负载效应，使得SRAM电路具有更一致的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一静态随机存取存储器阵列；一静态随机存取存储器边缘单元区域，邻接于上述静态随机存取存储器阵列，其中上述静态随机存取存储器阵列与上述静态随机存取存储器边缘单元区域的组合是包括具有一均匀节距的多个第一栅极电极；以及一字元线驱动器，邻接于上述静态随机存取存储器边缘单元区域，其中上述字元线驱动器包括多个第二栅极电极，以及上述第一栅极电极的纵向方向是与对应的上述第二栅极电极的纵向方向对齐。
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