[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201610842305.6 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107610995B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 竹田刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提高每个衬底的处理后的膜特性的均匀性的半导体器件的制造方法及衬底处理装置。包括：将衬底搬入处理室的工序；和向衬底供给处理气体的工序；和将向衬底供给的气体排气的工序；处理工序，将活化后的处理气体向衬底供给，并包括第一测定工序和第二测定工序，第一测定工序为测定从衬底脱离的杂质的工序，第二测定工序为测定在活化工序后从处理室排气的气体的工序；和算出处理数据的工序，其中，重复第一测定工序和第二测定工序、并基于在第一测定工序生成的第一测定数据和在第二测定工序生成的第二测定数据来算出处理数据；和结束判定工序，基于处理数据，进行处理工序的结束判定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：将衬底搬入处理室的工序；向所述衬底供给处理气体的工序；将向所述衬底供给的气体排气的工序；处理工序，其包括第一测定工序和第二测定工序，所述第一测定工序为将活化后的所述处理气体向所述衬底供给、并测定从所述衬底脱离的杂质的工序，所述第二测定工序为测定在所述第一测定工序后从所述处理室排气的气体的工序；重复所述第一测定工序和所述第二测定工序、并基于在所述第一测定工序生成的第一测定数据和在所述第二测定工序生成的第二测定数据来算出处理数据的工序；结束判定工序，基于所述处理数据，进行所述处理工序的结束判定。
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