[发明专利]一种功率半导体器件的衬底转移方法

摘要

本发明提供了一种功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在硅衬底上的GaN功率半导体器件转移至石英衬底上，该方法简单易行，可在同行业中进行推广；高绝缘的石英衬底可以有效的帮助GaN功率半导体器件提高击穿电压，提升器件的最大输出功率，同时增强器件的可靠性；另外，也可减小有源器件到衬底之间前的高频寄生参量，有效的提高GaN器件射频性能；该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代毫米波雷达收发组件组件以及复杂宇航级领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。

主权项

1.一种功率半导体器件的衬底转移方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在原有功率半导体器件的上表面涂覆保护层，并固化所述保护层；S2：在固化后的保护层上涂覆第一光刻胶层，采用晶圆级键合技术将所述第一光刻胶层键合到蓝宝石载片上；S3：去除原有功率半导体器件的硅衬底；S4：在原硅衬底处涂覆第二光刻胶层，采用晶圆级键合技术将所述第二光刻胶层键合到石英衬底上，并固化所述第二光刻胶层；所述步骤S4中固化第二光刻胶层的方法为：对第二光刻胶层进行紫外光曝光，将曝光后的第二光刻胶层进行烘烤，烘烤温度为100‑200℃，烘烤时间为20‑40min；S5：将功率半导体器件从蓝宝石载片上剥离，并去除所述保护层和第一光刻胶层。