[发明专利]采用激光辐照氮化镓外延片提高其欧姆接触特性的方法

摘要

本发明公开了一种采用激光辐照氮化镓外延片提高其欧姆接触特性的方法，其步骤为：首先对氮化镓材料进行清洗去除表面污染及有机残留等，随后采用准分子激光进行辐照，通过掩膜版形成辐照图形，利用溅射或蒸发的方法在辐照图形上覆盖一层金属电极。电学测试结果表明，激光辐照后形成的电极具有良好的欧姆接触特性。与其它方法相比，本发明方法具有操作步骤简单，制作速度快，激光参数精确可控，无需高温退火等优点，可用于GaN基材料的各类器件的欧姆接触制备。

主权项

一种采用激光辐照氮化镓外延片提高其欧姆接触特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、以氮化镓外延片作为辐照样品，辐照前将氮化镓外延片分别在丙酮溶剂、酒精溶剂和去离子水中进行清洗，干燥；(2)、设置激光光路系统，将步骤（1）处理过的氮化镓外延片固定在激光光路系统的工作台上；(3)、利用准分子激光光源，在不同的环境气氛中辐照氮化镓外延片，通过掩膜版形成改性图形；(4)、在步骤（3）处理的氮化镓外延片上覆盖上掩膜板，用溅射或蒸发的方法在改性过的样品表面沉积金属电极。