[发明专利]一种可控二极管自举绝热电路及四级反相器/缓冲器有效
申请号: | 201610836642.4 | 申请日: | 2016-09-21 |
公开(公告)号: | CN106487377B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 胡建平;余峰 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H03K19/0944 | 分类号: | H03K19/0944 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种可控二极管自举绝热电路及四级反相器/缓冲器,可控二极管自举绝热电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管;四级反相器/缓冲器包括四个可控二极管自举绝热电路;优点是采用较少数量的MOS管,电路结构简单,延时和功耗得到降低,第五NMOS管和第六NMOS管构成可控二极管自举绝热电路的输出端和时钟端之间的可控二极管反馈通路,使得能量得到充分回收,在不影响电路性能的基础上,延时、功耗和功耗延时积均较小。 | ||
搜索关键词: | 一种 可控 二极 管自 绝热 电路 四级反相器 缓冲器 | ||
【主权项】:
1.一种可控二极管自举绝热电路,其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管;所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第三NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的漏极、所述的第五NMOS管的漏极和所述的第六NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的可控二极管自举绝热电路的时钟端;所述的第一PMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的漏极和所述的第六NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的可控二极管自举绝热电路的输出端,所述的第一PMOS管的漏极、所述的第五NMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的源极和所述的第二PMOS管的栅极连接且其连接端为所述的可控二极管自举绝热电路的反相输出端;所述的第一NMOS管的栅极为所述的可控二极管自举绝热电路的输入端,所述的第二NMOS管的栅极为所述的可控二极管自举绝热电路的反相输入端,所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的源极均接地,所述的第三NMOS管的栅极和所述的第五NMOS管的源极连接,所述的第四NMOS管的栅极和所述的第六NMOS管的源极连接。
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