[发明专利]一种Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列的合成方法有效
申请号: | 201610833719.2 | 申请日: | 2016-09-20 |
公开(公告)号: | CN106549068B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 徐芳;陈会敏;梅晶晶;蒋凯;武大鹏;高志永 | 申请(专利权)人: | 河南师范大学 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/0296;H01L31/032;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 新乡市平原专利有限责任公司41107 | 代理人: | 路宽 |
地址: | 453007 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列的合成方法,具体步骤为(1)在FTO导电玻璃上制备TiO2纳米棒阵列,(2)将TiO2纳米棒阵列浸入AgNO3的前驱物溶液并用紫外光照射制备Ag修饰的TiO2纳米棒阵列;(3)将Ag修饰的TiO2纳米棒阵列浸入溶有Na2S和S的多硫溶液中,反应制得Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列。本发明利用Ag和Ag2S的协同作用可以提高材料对可见光的吸收,提高了光生电荷的传输、分离效率,得到具有较高光解水效率的光阳极材料,而且该合成方法工艺简单,简化了电极的实施工艺,有利于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 ag ag2s tio2 纳米 阵列 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列的合成方法,其特征在于具体步骤为:(1)在24mL去离子水、22mL质量分数37%的浓盐酸和2mL乙酸混合溶液中加入0.8mL钛酸四丁酯,搅拌至溶液澄清,然后将溶液转移至放有FTO导电玻璃的水热反应釜中,于150℃水热反应20h,自然冷却至室温,取出样品清洗干净后烘干并于450℃退火30min得到长度为3‑4μm的TiO2纳米棒阵列;(2)将步骤(1)得到的TiO2纳米棒阵列浸入溶有AgNO3和聚乙烯吡咯烷酮的乙醇‑水溶液中,在紫外光下照射10‑50min,然后将样品取出清洗并自然晾干得到Ag修饰的TiO2纳米棒阵列,所述溶有AgNO3和聚乙烯吡咯烷酮的乙醇‑水溶液中AgNO3的摩尔浓度为0.5‑2mmol/L,聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为1g/L,水和乙醇的体积比为1:1;(3)将步骤(2)得到的Ag修饰的TiO2纳米棒阵列浸入溶有Na2S和S的溶液中反应30‑90min,然后将样品取出清洗并自然晾干得到Ag@Ag2S/TiO2纳米棒阵列,所述的溶有Na2S和S的溶液中Na2S和S的总摩尔浓度为1mol/L。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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