[发明专利]一种ONO多晶硅间介质层结构及制备方法在审
| 申请号： | 201610833495.5 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106206747A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 卢普生;陈昊瑜;姬峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提供了ONO多晶硅间介质层结构，其包括：浮栅；位于浮栅上的底层氧化层；位于底层氧化层上的氮化硅层；位于氮化硅层上的顶层氧化层；位于顶层氧化层上的控制栅；其中，底层氧化层的材料为Al2O3、Ta2O5或SiO2；和/或顶层氧化层的材料为Al2O3、Ta2O5或SiO2，但底层氧化层的材料和顶层氧化层的材料不能同时为SiO2。本发明可以在不降低其它性能的基础上提高GCR，从而提升叠栅flash器件编程和擦除能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ono 多晶 介质 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ONO多晶硅间介质层结构，其特征在于，包括：一浮栅；位于浮栅上的底层氧化层；位于底层氧化层上的氮化硅层；位于氮化硅层上的顶层氧化层；位于顶层氧化层上的控制栅；其中，所述底层氧化层的材料为Al2O3、Ta2O5或SiO2；和/或所述顶层氧化层的材料为Al2O3、Ta2O5或SiO2，但底层氧化层的材料和顶层氧化层的材料不能同时为SiO2。
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