[发明专利]一种沟槽‑场限环复合终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610831545.6 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106252390A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王彩琳;张磊 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 王奇 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽‑场限环复合终端结构，包括有源区和终端区，有源区和终端区共同的n‑区向下连接有n场阻止层，n场阻止层下方连接有n+阴极区及其阴极铝电极；在有源区中，n‑区向上连接有p+阳极区及阳极铝电极；在终端区中，n‑区向上与有源区接触的区域是增加的一段p+电阻区，与该p+电阻区间隔设置有一个沟槽，该沟槽下方设置有多个环间距不等、环宽相等的p+场限环，在该沟槽下方最外侧设置有一个n+截止环，在沟槽内填充有钝化层并延伸到p+电阻区的上方，该钝化层与有源区的阳极铝电极相接。本发明还公开了上述的沟槽‑场限环复合终端结构的制备方法。本发明结构简单，可靠性好；制备过程简洁紧凑，便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 场限环 复合 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽‑场限环复合终端结构，其特征在于：包括有源区和终端区，有源区和终端区共同的n‑区向下连接有n场阻止层，n场阻止层下方连接有n+阴极区及其阴极铝电极；在有源区中，n‑区向上连接有p+阳极区及阳极铝电极；在终端区中，n‑区向上与有源区接触的区域是增加的一段p+电阻区，与该p+电阻区间隔设置有一个沟槽，该沟槽下方设置有多个环间距不等、环宽相等的p+场限环，在该沟槽下方最外侧设置有一个n+截止环，在沟槽内填充有钝化层并延伸到p+电阻区的上方，该钝化层与有源区的阳极铝电极相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610831545.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于光收发器件抗干扰的半导体器件
- 下一篇：半导体结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
