[发明专利]一种QLED器件

摘要

本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的衬底、底电极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层和顶电极，所述空穴功能层、所述电子功能层均由无机材料制成，且所述空穴功能层和/或所述电子功能层采用MOCVD法制备获得，其中，所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层，所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层。本发明提供的QLED器件，提高了器件效率、稳定性和使用寿命。

主权项

1.一种QLED器件，包括依次设置的衬底、底电极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层和顶电极，其特征在于，所述空穴功能层、所述电子功能层均由无机材料制成，且所述空穴功能层和/或所述电子功能层采用MOCVD法制备获得，其中，所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层，所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层；所述空穴功能层为p型In_xGa_1‑xN、p型GaN:Mg、p型Al_xGa_1‑xAs_yP_1‑y、p型Al_xGa_1‑xN中的至少一种形成的材料层，其中，所述x、y的取值范围满足：0≤x≤1，0≤y≤1，且所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的两层或三层时，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的两层或三层采用相同或不同的材料制成；其中，当所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的两层或三层同为p型In_xGa_1‑xN时，各层x的取值范围不同；当所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的两层或三层同为p型Al_xGa_1‑xAs_yP_1‑y时，各层x的取值范围不同，各层y的取值范围不同；当所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的两层或三层同为p型GaN:Mg时，各层Mg的掺杂浓度不同；当所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的两层或三层同为p型Al_xGa_1‑xN时，各层x的取值范围不同；和/或所述电子功能层为无机纳米氧化锌、n型GaN:Si/GaN双层结构、n型Al_xGa_1‑xAs_yP_1‑y、n型GaSb、n型Al_xGa_1‑xN中的至少一种形成的材料层，其中，所述x、y的取值范围满足：0≤x≤1，0≤y≤1，且所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的两层或三层时，电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的两层或三层采用相同或不同的材料制成；其中，当所述电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的两层或三层同为n型Al_xGa_1‑xAs_yP_1‑y时，各层x的取值范围不同，各层y的取值范围不同；当所述电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的两层或三层同为n型GaN:Si/GaN双层结构时，各层Si的掺杂浓度不同；当所述电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的两层或三层同为n型Al_xGa_1‑xN时，各层x的取值范围不同。