[发明专利]栅极的制备方法在审
| 申请号： | 201610828387.9 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106129005A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底；依次在所述半导体衬底的表面形成层叠的介电层、高k介质层、功函数调节层、阻挡层及多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层及所述阻挡层，暴露出部分所述功函数调节层；对所述功函数调节层的表面进行氮化处理；刻蚀所述功函数调节层、所述高k介质层及所述介电层，形成栅极结构。本发明中，刻蚀多晶硅层及阻挡层将功函数调节层暴露出来后，对功函数调节层的表面进行氮化处理，使得功函数调节层的表面形成致密的结构，防止水分进入功函数调节层，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；依次在所述半导体衬底的表面形成层叠的介电层、高k介质层、功函数调节层、阻挡层及多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层及所述阻挡层，暴露出部分所述功函数调节层；对所述功函数调节层的表面进行氮化处理；刻蚀所述功函数调节层、所述高k介质层及所述介电层，形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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