[发明专利]降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法有效
申请号: | 201610828347.4 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106206358B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 姜立维;曹云;倪念慈;阚欢;魏芳;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法,包括:第一步骤:执行版图载入;第二步骤:选定格点大小,根据设置的起始点移动步长,并计算两个垂直移动方向上的单方向移动次数;第三步骤:将版图切割起始点(X,Y)按照{(X‑m*s),(Y‑n*s)}进行移动,其中s为起始点移动步长,m和n为整数且初值均为所述单方向移动次数;第四步骤:执行格点几何信息提取;第五步骤:执行化学机械抛光工艺模拟预测;第六步骤:执行热点检测;第七步骤:使得n递增1,在递增1之后的n小于单方向移动次数时,重复第三步骤到第六步骤,或使得m递增1,在递增1之后的m小于单方向移动次数时,使得n递增1,当递增1后的n也小于单方向移动次数时,重复第三步骤到第六步骤。 | ||
搜索关键词: | 降低 化学 机械抛光 工艺 热点 检测 漏报 方法 | ||
【主权项】:
1.一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法,其特征在于包括:第一步骤:执行版图载入;第二步骤:选定格点大小,根据设置的起始点移动步长,并计算两个垂直移动方向上的单方向移动次数;第三步骤:将版图切割起始点(X,Y)按照{(X‑m*s),(Y‑n*s)}进行移动,其中s为起始点移动步长,所述移动步长大于零且小于所述格点大小,m和n为整数且初值均为所述单方向移动次数;第四步骤:执行格点几何信息提取;第五步骤:执行化学机械抛光工艺模拟预测;第六步骤:执行热点检测;第七步骤:使得n递增1,在递增1之后的n小于单方向移动次数时,重复第三步骤到第六步骤,或使得m递增1,在递增1之后的m小于单方向移动次数时,使得n递增1,当递增1后的n也小于单方向移动次数时,重复第三步骤到第六步骤;第八步骤:当递增1之后的m和递增1之后的n都不小于各自单方向移动次数时执行热点综合和热点修复。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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