[发明专利]具有集成保护结构的结隔离阻断电压装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201610827351.9 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106298902B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | D·J·克拉克;J·A·塞尔瑟多;B·B·莫阿尼;罗娟;S·穆奈尼;K·K·赫弗南;J·特沃米伊;S·D·赫弗南;G·P·考斯格拉维 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L29/06;H01L27/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及具有集成保护结构的结隔离阻断电压装置及其形成方法。提供了结隔离阻断电压装置及其形成方法。在具体实施方式中，阻断电压装置包括电连接至第一p阱的阳极终端、电连接至第一n阱的阴极终端、电连接至第二p阱的接地终端、以及用于隔离第一p阱和p型衬底的n型隔离层。第一p阱和第一n阱操作作为阻塞二极管。阻断电压装置还包括与第一n阱中形成的P+区域、第一n阱、第一p阱和第一p阱中形成的N+区域相关的PNPN硅控整流器(SCR)。此外，阻断电压装置还包括与第一p阱中形成的N+区域、第一p阱、n型隔离层、第二p阱以及第二p阱中形成的N+区域相关的NPNPN双向SCR。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 保护 结构 隔离 阻断 电压 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，包括：阻断电压结构，所述阻断电压结构包括：第一终端；第二终端，其中所述阻断电压结构被配置为在所述第二终端和所述第一终端之间提供电压阻断；第三终端；以及集成保护结构，所述集成保护结构包括：硅控整流器，所述硅控整流器电连接在所述第一终端和所述第二终端之间，其中所述硅控整流器被配置为当所述第二终端的电压相对于所述第一终端的电压增大时，保护所述阻断电压结构免受过压；以及双向硅控整流器，所述双向硅控整流器电连接在所述第三终端和所述第二终端之间，其中所述双向硅控整流器被配置为当所述第三终端的电压相对于所述第二终端的电压增大时，保护所述阻断电压结构免受过压，以及其中所述双向硅控整流器还被配置为当所述第二终端的电压相对于所述第三终端的电压增大时，保护所述阻断电压结构免受过压。
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