[发明专利]隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法

摘要

一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。

主权项

1.一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括以下步骤：1)提供一衬底，在所述衬底的正面生长外延层；2)将外延层形成多个LED单元；3)将所述衬底减薄、抛光后，置于划片机上；4)采用单焦点激光隐形切割技术，将隐形切割的激光焦点聚焦在所述衬底的内部，调节激光焦点的位置使其位于每一个LED单元之间的跑道中线上，记为初始位置；沿跑道方向切割，形成第一道改质层；5)将激光焦点沿与跑道垂直的方向向左水平移动一预定距离△x，再沿竖直方向向上移动一预定距离△z；沿跑道方向切割，形成第二道改质层；6)重复步骤5)，形成跑道左向多道改质层，使左向多道改质层位于跑道左侧的同一斜面内；7)将激光焦点调回初始位置后，将激光焦点移动到跑道中线的右侧，重复步骤5)、6)，使形成的跑道右向多道改质层位于跑道右侧的同一斜面内，形成基片；8)将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；9)将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中△x是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，△z是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。