[发明专利]三维鳍式隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610825788.9 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107068562B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | Z·刘;X·孙;T·山下 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及三维鳍式隧穿场效应晶体管，其中，一种形成隧穿场效应晶体管的方法包括在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；以及在该栅极结构之间凹入该鳍片。在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙。用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构之间的第二间隙。通过蚀刻该第一介电层打开该第一间隙，而该第二介电层防止打开该第二间隙。在该第一间隙中的该鳍片上形成源区。介电质填充该第一间隙中的该源区。通过蚀刻该第二介电层及该第一介电层打开该第二间隙。在该第二间隙中的该鳍片上形成漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 鳍式隧穿 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；在该栅极结构之间凹入该鳍片；在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙；用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构之间的第二间隙；通过蚀刻该第一介电层打开该第一间隙，而该第二介电层防止打开该第二间隙；在该第一间隙中的该鳍片上形成源区；在该第一间隙中的该源区上形成介电填充物；通过蚀刻该第二介电层及该第一介电层打开该第二间隙；以及在该第二间隙中的该鳍片上形成漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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