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[发明专利]再循环旁路-CN202080098371.1在审
发明人： J·M·卢姆;S-L·J·蔡;J·R·波拉德;T·山下;J·萨尔斯;G·E·克拉克 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B41J2/18 文献下载
摘要：一种流体喷射管芯可包括流体致动器、支撑流体致动器的基底、由基底支撑的腔室层以及基底中的旁通通路。所述基底可以包括封闭入口通道并包括出口通道，封闭入口通道具有入口开口，用于连接到流体源的出口，出口通道具有第一尺寸的出口开口，用于连接到流体源的入口。腔室层包括再循环通路，以供应流体以用于由流体致动器通过喷射孔口喷射并且使流体从封闭入口通道经过流体致动器循环到出口通道。旁通通路具有小于第一尺寸的第二尺寸，并且将入口通道连接到流体源的入口，同时绕过任何设置成通过喷射孔口喷射流体的流体致动器。
再循环旁路

[发明专利]三维鳍式隧穿场效应晶体管-CN201610825788.9有效
发明人： Z·刘;X·孙;T·山下 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及三维鳍式隧穿场效应晶体管，其中，一种形成隧穿场效应晶体管的方法包括在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；以及在该栅极结构之间凹入该鳍片。在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙。用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构之间的第二间隙。通过蚀刻该第一介电层打开该第一间隙，而该第二介电层防止打开该第二间隙。在该第一间隙中的该鳍片上形成源区。介电质填充该第一间隙中的该源区。通过蚀刻该第二介电层及该第一介电层打开该第二间隙。在该第二间隙中的该鳍片上形成漏区。
三维鳍式隧穿场效应晶体管